SEMI戮力推動國際產業標準 加速3D IC技術發展
資料來源：SEMI 國際產業技術標準 / James Amano (2010/07)

3D IC─也就是平面IC的堆疊設計─將是半導體產業突破摩爾定律限制的終極技術；其中，矽穿孔(Through-Si Via; TSV)技術將是眾望所歸的技術選項，能夠在小空間中一舉達成高性能、低成本和低功耗。相較於目前的多晶片整合和封裝作法，TSV是一種創新的技術，但是仍然需要建立一套製造標準，才有可能降低生產成本。

3D IC的複雜設計和機械結構不可避免地會帶來信號干擾，製作過程也可能造成缺陷，還有整體散熱也是個大問題。在SEMICON West中，SEMI聯合SEMATECH舉辦一場”3D Interconnect Challenges and Need for Standards Workshop”研討會，針對3D IC在晶圓量測技術、晶圓接合技術、薄化晶圓的搬運技術等議題進行研討。以及如何改進現有的SEMI標準，而非重新制定新標準以因應3D IC技術發展的需求，也是研討的重點。

制訂或修正產業標準的工作就像是在和時間賽跑，而時間點卻非常的重要。在技術發展穩定前就訂出未成熟的標準，這樣反而會限制、甚至扼殺創新；然而行動過晚，太多互相類似又彼此競爭的技術選項又會帶來很大的困擾。所以標準須在恰到好處的時間點提出，才能讓製程、設備、材料的運作和使用都能夠在高效率、低成本下進行，達成成功的商業化。

此次研討會是產業專家們集體協商產業標準的第一步。未來的合作需要供應鏈全員的參與，尤其設計、測試和製造業者之間分享資訊、交換意見，這對於市場何時將能接納3D IC，至關重要！