聯電Q2折舊費用高致獲利降 3D IC明年量產
資料來源: 精實新聞 (2011/04/28)

聯電(2303)昨(26)日召開法說會，會中除了指出對於第二季營運展望保守看待，預測產能利用率將下滑至85%，營收估約持平，毛利率下滑至21-25%等外，也有法人詢問TSV 3DIC的進展，執行長孫世偉指出，TSV目前與爾必達、力成(6239)等合作順利，預計量產時間點落在明年。

另外，法人也詢問到為何出貨量、ASP均與首季持平，毛利率卻掉至25%以下，聯電解釋，主要是因第二季折舊費用增加8-10%所致，而第二季也會是全年折舊費用最高的時間，不過全年折舊費用仍維持較去年增幅不超過10%的估計。

聯電和爾必達、金士頓、力成於去年6月共同協力開發3D IC技術和矽穿孔(TSV)製程技術，聯電會將此技術導入28奈米製程，據了解，TSV 3D IC技術可應用於邏輯IC、記憶體晶片、影像感測元件、功率放大器、MEMS等領域，事實上，三星電子等大廠也相繼投入TSV 3D IC技術發展。