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2D3D封測技術 將成為利基型DRAM發展重要關鍵

新聞來源: 電子時報 (2011.09.28)

 

DRAM依產品規格與應用,可區分為標準型DRAM(Strandard DRAM)與利基型DRAM(Niche DRAM)。標準型DRAM主要應用於桌上型電腦、筆記型電腦(Netbook)PC應用,及其售後記憶體模組容量升級之DRAM,為DRAM市場之主流產品。至於伺服器、工作站等電腦相關應用,及其售後記憶體模組容量升級之DRAM,於本研究亦被歸類為標準型DRAM

 

利基型記憶體可區分為Specialty DRAMMobile DRAM,與Graphics DRAM3大類,廣泛應用於消費性電子、可攜式電子裝置、手機、網通等終端產品,甚至車用電子與工業用市場,皆可看見利基型DRAM的應用。

 

利基型DRAM與標準型DRAM最大差異,為直接內嵌於終端產品之上,客製化程度高,因此利基型記憶體供應商亦可以提供記憶體解決方案的廠商視之,要與客戶共同開發,所以,產品價格雖會因市場競爭等因素而下滑,但基本上不致如同標準型產品價格,出現崩跌情況發生。

 

無論是Specialty DRAMMobile DRAMGraphics DRAM等利基型記憶體,終端產品對利基型記憶體性能上的需求,最主要包括低耗電、小面積、高效能,及高容量。

 

要同時符合來自終端市場的需求,製程微縮技術發展雖居於舉足輕重地位,但預計2011年第4季三星電子(Samsung Electronics)即規劃將20奈米世代製程導入量產後,面對再次世代10奈米製程導入量產,製程微縮技術進度將明顯減緩,甚至停滯,此時後段封裝測試技術的進步亦將扮演關鍵地位。

 

採用多顆DRAM晶片堆疊方式封裝,在同一顆IC之中的多晶片封裝(Multi Chip PackageMCP)技術已相當普遍,目的即為能在相同面積下,製造出更大容量DRAM產品。而將多顆記憶體晶片堆疊後,下層再多疊一層已封裝好的邏輯IC的系統級封裝(System in PackageSiP)技術,亦已為智慧型手機大量採用。

 

未來矽穿孔(Through Silicon ViaTSV) 3D IC封裝技術,將更會是引導利基型DRAM2.5D邁向3D重要技術發展方向。

 

按終端應用與性能訴求的差異,利基型DRAM可區分為Specialty DRAMMobile DRAMGraphics DRAM3大類。(更完整分析請見DIGITIMES Research IC製造服務「從2D3D 封測技術 將成為利基型DRAM發展重要關鍵」研究報告)