力晶擴大NAND Flash產能，2012年將是台灣DRAM廠轉型年
新聞來源: DRAMeXchange (2011.11.10)
力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產能維持DRAM的技術發展，並於明年起全數轉入30nm 4Gb生產，而空出的產能將會以NAND FLASH填補，後續技術發展的重點也轉移到NAND 2Xnm的製程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做晶片組的整合，力圖成為大中華地區各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣佈將產能逐步擴大至Flash產品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品，希望明年標準型DRAM的投片僅佔總投片量的20%，力晶將成為代工與Flash為主要業務的公司，也算是宣告退出標準型DRAM市場，與國際大廠相比，台灣DRAM產業由於製程轉進速度緩慢及過多比例放在標準型DRAM上，導致今年至今虧損達台幣586億元，由於DRAM產業仍處於供過於求的狀況，加上國際大廠在第四季積極轉入30nm製程，集邦科技(TrendForce)預估明年上半年供過於求依然超過15%，故部份台系DRAM廠早已展開轉型之路，除了前述力晶之外，南科也將逐步轉入利基型與伺服器記憶體為主，華亞科在美光的伺服器記憶體的訂單下，也希望將伺服器記憶體比重拉到30-50%，華邦則是早已轉型成功，專攻行動式記憶體與NOR Flash為主要市場。
放眼2012年，將是台系DRAM廠轉型的關鍵年，只要能降低標準型記憶體的生產量，將有機會在嚴峻的市場中生存下來。