2019年のファブ装置投資額、過去最高記録を更新へ

2018年10月19日

9月17日のプレスリリースで、半導体前工程ファブの装置投資額を発表いたしました。2019年の年間投資額は、675億ドルと過去最高記録を更新しています。引き続き新規ファブへの積極投資が続いており、2017年～2020年にかけての着工ファブ/ライン数は78に上ります。2017年-2018年での着工数は59。残りの19がこれから着工の見込みです。新規ファブ/ラインへの投資は、2017年から2018年にかけて幾分トーンダウンしているものの、依然として旺盛であり、今後も伸びる可能性があります。

装置需要としては実に2200億ドル以上。それ以前の3年間（2014年～2016年）と比べるとほぼ２倍の規模が見込まれています。

韓国と中国が拮抗

国／地域別では、韓国が630億ドルで首位を維持、僅差で中国が620億米ドルと続きます（図1）。韓国はSamsungによるNAND型フラッシュメモリの投資額減額があるものの、2017年の投資額が寄与し、今回は首位をキープした形です。一方、中国は18年、19年と倍々ゲームで伸びていきます。19年には中国が韓国を抜き逆転する見込みです。

なお、日本における投資額は220億ドルになります。東芝メモリとフラッシュアライアンス（東芝メモリとウエスタンデジタルコーポレーションの合弁）による岩手・四日市工場の投資が寄与した形になります。

図1：新規ファブ/ラインの地域別投資額の状況（2017-2020年）