2018年11日27日
<ご参考資料>
米国カリフォルニア州で2018年11月26日(現地時間)に発表されたプレスリリースの翻訳です。
SEMI、業界初のパワーおよび化合物半導体ファブの
予測レポートを発表
SEMI(本部:米国カリフォルニア州ミルピタス)は、11月26日(米国時間)、業界初となるパワー半導体および化合物半導体の世界ファブデータを発表しました。本レポート「パワーおよび化合物ファブアウトルック」は、パワーおよび化合物半導体の前工程ファブにおける総合的なデータに加え、2022年までの世界生産能力の予測を提供します。
省電力性が求められる、ハイエンドのコンシューマエレクトロニクス、無線通信、電気自動車、グリーンエネルギー、データセンター、産業用および民生用IoTなどのアプリケーションに対するエネルギー効率のスタンダードが厳しくなるにつれて、パワー半導体の重要性が高まっています。世界中の半導体ファブはエレクトロニクスのあらゆる面で電力消費を改善する対応をしています。これは、電力ハーベスト、供給、伝送、蓄電、消費にわたります。パワーエレクトロニクスでは、コスト構造と性能が重要であり、これによって市場成長とテクノロジー採用のスピードが決まります。
パワー半導体のエネルギー効率は、化合物材料によって大きく高まっていることを受けて、「パワーおよび化合物ファブアウトルック」は、半導体ファブで採用が進む特定の化合物材料にハイライトを当てています。本レポートは、関連する装置・材料市場や、パワーおよび化合物ファブの地域別/ウェーハ口径別の生産能力に関心のある方には不可欠な情報源です。
レポートのハイライト
- 2011年~2022年までのファブの四半期データを収録
- 890の収録ファブデータ中、530が化合物半導体に、430がパワー半導体に関連
- ハイレベルのサマリー、図表、ファブ詳細データ
- ウェーハ口径、製品種別、地域別の生産能力と設備投資
- LED、エピ、IGBT、HEMT、MOSFET、BCD、MOCVDなどの注目テクノロジー
- SiC、GaN、GaAs、InPなどのIII-V族、II-VI族化合物の情報
- ファブの建設投資および装置投資の過去、現在、計画・拡張予測四半期データ
- ファブ生産能力の過去、現在、計画・拡張予測四半期データ
- ファブのステータス(新規建造、閉鎖、ウェーハ口径変更)
本レポートの詳細およびサンプルデータのダウンロードは次のURLをご参照ください。
http://www.semi.org/jp/node/84466
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