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旺宏總經理-盧志遠談Flash Memory挑戰與展望

      依據Web-Feet的2010年分析,2008年遇到大衰退,2009年各家紛紛減產應變,但有幸的是消費電子需求維持成長,反而出現供不應求的狀況,讓價格迅速反彈上去,使得過去一年(2009) Flash Memory營收持平收場,不再衰退。

      旺宏總經理盧志遠認為,今年(2010)的價格大致可以維持平穩或是稍為上揚,產能供給成長一時之間還跟不上市場需求的成長,所以2010至2012年應該都是保持成長的趨勢,營收受到價格拉回的影響變小。


      驅動Flash Memory成長的動力,主要來自智慧手機(smart phone),與未來的SSD,會需要許多高容量的NAND Flash。

      以旺宏經驗看NOR Flash致勝關鍵
      NOR Flash過去十年,整個產業平均都是虧損,國際大廠的技術優勢顯然不大管用,雖然他們已經擁有MLC與65nm技術,但是NOR Flash的應用廣泛,儲存容量不高,市場需要的不是commodity, 而是ASSP (Application Specific Standard Product, 特殊應用標準產品),行為模式與DRAM或是NAND Flash不大一樣。

      以旺宏的經驗來檢視NOR Flash製造的致勝關鍵

      技術門檻很高,穩定的產品品質,需要很長的經驗累積

      NOR Flash平均單價不高,產品成本的控管要很精細

      NOR Flash應用分散,產品項目與衍生變化多,產品管理很重要

      單價雖低,但是數量需求很驚人,考驗公司的銷售與支援人力,還有供貨的應變能力

      公司的長期承諾與生存能力,國際客戶特別重視這點

      盧志遠表示:旺宏是近年來唯一從NOR Flash上,在正常情況之下賺得到錢的公司,就是多年下足了苦工夫所磨練而來的!

      借鏡國際大廠NAND Flash致勝關鍵
      NAND Flash以commodity模式為主,類似DRAM產業,國際大廠針對此點發揮出來的優點如下:

      技術壟斷,不輕易外流

      積極投入研發資源,以求快速演進,譬如每隔12_18月推出一代

      產能投資龐大,以求規模經濟,達成成本優勢,並滿足重量級客戶的產能需求

      DRAM與NAND Flash的產能調節操作

      國際大廠三星、東芝,以及美光紛紛部署NAND Flash市場,盧志遠表示台灣的NAND Flash還在起步階段,操作的原則應避開直接競爭,或是尋求策略聯盟:

      生產代工,沿襲DRAM模式,與國際大廠變成盟友,但應避免重蹈過去DRAM代工之覆轍,而發展出能平等相處,終能自立的商業模式

      避開commodity競爭,自立研發,聚焦於利基市場,發展小而美的競爭能力

      旺宏深耕核心能力 佈局市場新亮點
      挑戰NOR Flash產品線營收倍增

      旺宏近十多年來,深耕於Floating gate以及Charge trapping gate的自立研發,深諳其中綜效與奧妙之處,故在量產產品時,則擇其最適市場者而為之。

      在NOR Flash產品線方面,旺宏利用自主發展的Floating gate基礎,多年以來,已奠定完整深厚的Flash技術實力,成功地經營NOR Flash產品線,達到世界一流水準,無論在產品的品質、供貨與競爭力,都讓全球知名的客戶感到信心與安心。

      NOR Flash對旺宏而言,已然是個成熟而可靠的技術,所以在未來,仍會延續這個根基與優勢,持續努力於Floating gate製程微縮,並轉至12吋晶圓廠,發展新世代75nm與5xnm 系列的NOR Flash產品。

      在整體的NOR Flash的策略發展上,旺宏同時擁有客戶、品質、產品、技術與產能的良好條件,已具備全面供應商的能力,將利用成熟可靠的NOR Flash產品與技術,深入需要高品質與穩定供貨的市場,希望能讓NOR Flash產品線,由年營收新台幣200億元,幾年之內順勢成長到300億,甚至400億元,成為世界前兩大供應商之一。

      佈局NAND Flash 搶佔商機
      NAND Flash對旺宏而言,是一個新的產品線,不過許多Flash相關的共同技術可以運用到這裡,包括Floating gate製程,所以旺宏利用技術上的綜效概念, 以Floating gate為核心,同時照顧NOR與NAND Flash兩種技術發展,一直到它的微縮走不下去為止。

      原先旺宏以既有的8吋晶圓廠,從75nm Floating gate開始,自行建立NAND Flash相關技術,雖然暫無任何策略聯盟的資源加入,但是目前進度還算順利。 下一步, 等到旺宏12吋廠的先進設備裝機之後,將蛙跳到4xnm NAND Flash, 接著是3xnm,仍然利用Floating gate,這是一個已被業界使用與驗證過的歷程,旺宏的NAND Flash暫時還沒遇到嚴重的技術瓶頸。

      在整體的NAND Flash的策略發展上,有別於國際大廠的commodity產品模式, 旺宏走的路線以system embedded為出發點,強調品質與應用導向,希望帶給Flash客戶們不一樣的供應商選擇。


      3D Vertical Gate問世 技術新突破

      在2xnm之後, Floating gate將遇到物理上的一些難題,可能逼得NAND Flash的技術平台需要改變,其中最被看好的接棒者是Vertical 3D。旺宏新近發表的3D Vertical Gate (3D VG), 結合了巧妙的3D NAND結構發明,與BE-SONOS兩種技術,與東芝或是三星的相關3D技術研究齊名,大大地提高Vertical 3D方案的成功機會。

      文: SEMI編輯 / 高偉玲 整理報導 (2010/08)