突破大廠防線 台大新LED設備/材料研發有成
新聞來源: 新電子 (2013.03.25)
台灣大學在發光二極體(LED)製造技術上出現重大突破。台灣大學光電創新研究中心成功開發出新一代脈衝雷射沉積法(PLD)長晶設備，以及無稀土元素的螢光粉材料，並已著手申請台灣及美國專利。未來，這兩項新技術將可協助台灣LED業者突圍國際大廠專利封鎖線，進一步提升產品效率，並降低生產成本。
國立台灣大學光電創新研究中心主任林清富表示，該中心近期透過PLD技術，開發出新的LED晶圓製作解決方案，可與目前主流的金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)機台相互搭配，以更低成本執行長晶作業，再由MOCVD負責磊晶製程。此項技術不僅有助台商提高設備投資效益和LED效率，更重要的是能掌握核心技術，進一步避開日亞化學(Nichia)和科銳(Cree)等國際大廠設下的專利地雷，在市場上取得較佳戰略位置。
據悉，PLD是目前主要的晶圓鍍膜方式之一，透過物理氣相沉積原理以高能量脈衝雷射將靶材瞬間蒸發，形成電漿蕈狀團(Plasma Plume)後再沉澱於LED藍寶石基板上。由於該製程可在低真空或室溫環境下作業，且不須導入化學材料，因而能減輕用料/清洗成本及環境汙染問題，備受業界期待能用於開發新一代低成本LED長晶設備。
林清富透露，台灣大學正積極爭取政府科專計畫補貼，並與台灣一線LED大廠攜手投入2吋LED晶圓試產，藉以測試新的PLD製程良率，期讓PLD長晶設備技術更加成熟，加速促成產學技術授權合作並導入商用。
除製程設備外，材料對LED整體開發成本也有極大影響，尤其目前高效率螢光粉大多須摻入蘊藏量稀少、進口來源受限的稀土元素，更是造成LED價格過高的元兇。因此，台灣大學光電創新研究中心也研發出無須添加稀土元素，即可提升發光效率的LED螢光粉，目前正密集與相關業者展開測試，一旦導入量產，將能補強台商缺乏的LED材料專利陣容，並使LED成本再下向下探。