新聞來源：工商時報(2014.11.25)

半導體微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）昨（24）日宣布，接獲晶圓代工龍頭台積電2台NXE:3350B量產型極紫外光（EUV）系統曝光機 訂單，預計2015年出貨並用於量產。業界認為，台積電加快導入EUV試產，應該是計畫在2017年進入10奈米世代時，可以率先採用EUV曝光技術。

ASML 昨日在英國倫敦舉行分析師大會，並於會中勾勒該公司2020年策略藍圖，要成為營收規模達100億歐元的公司，並讓每股淨利成長三倍。同時，ASML也宣 布接獲台積電2台NXE:3350B量產型EUV系統訂單，預計於2015年出貨，ASML也將協助台積電將今年已出貨的2台NXE:3300B設備，升 級為NXE:3350B量產型機種。

ASML 指出，為了因應消費市場對於電子產品多功能、小尺寸、低耗電的要求越來越嚴苛，半導體產業持續追求電晶體製程微縮，這不僅加速整個半導體產業的成長，也成 為讓ASML有信心達到2020年目標的主因。ASML相信在未來10年內，摩爾定律將會持續演進並推動產業成長，而微影技術（lithography） 將是主要的推手。

ASML也宣布主要產品策略，包括在深紫外光（DUV）浸潤式系統將持續被用於各種先進製程中的多層曝光，EUV系統可讓晶片尺寸微縮且製程簡化，此將協助客戶提高邏輯、DRAM和NAND Flash晶片的製造成本效益，預估試產時程將落在2016～2017年間。

台 積電今年採購了2台EUV設備，下世代10奈米製程也正式進入研發階段，而今年第3季時，台積電在EUV技術的晶圓曝光速度已達每天600片。ASML指 出，EUV的研發進度順利，預計2016年將可達每天1,500片量產規模，並在10奈米微影製程中進行部份光罩曝光。

台積電董事長張忠謀 在日前法說會中表示，10奈米研發進行順利，不僅速度比16奈米快25％，功耗上則比16奈米下降45％，閘極密度更是16奈米的2.2倍，預計明年下半 年就會有客戶完成設計定案（tapeout）。張忠謀也指出，EUV技術仍在發展中，但在10奈米很有機會可以開始利用EUV完成一層曝光製程。