半導体製造装置の電源およびガスサブシステムの2016年～2021年の年間成長率（GAGR）が、23％を達成する見込みです。これはクリティカルサブシステム業界平均の16.4%を大きく上回るものです。
電源およびガスサブシステムは、半導体製造装置のクリティカルサブシステムのコスト全体の約13%を占めており、2016年の9.8%から大幅に増加しています。この成長の原動力として以下があげられます：
- 半導体製造における真空度の高まり
- チャンバーあたりのRF電源サブシステム平均使用数の増加
- サブシステムの高出力化に伴う価格上昇
- 一般的に高額な高周波電源サブシステムの使用
多重露光や3D NANDの量産化により、成膜・エッチングの工程数が大幅に増加しました。3D NANDの場合ですと、エッチングプロセスが長時間化、困難化することで、より広範囲にわたる電源ソリューションが必要となります。
興味深いことに、電源サブシステムを装置タイプ別に分析すると、電源サブシステムの大部分（70％）がエッチング装置に使用され、蒸着装置には30％しか使用されていません。この違いは、繊細なエッチングプロセスでは、装置ごとに複数のRF電源が必要になるという事実から説明できます。一方の蒸着は、必ずしもプラズマ用電源を必要としない、熱蒸着プロセス等の装置もあります。
電源サブシステム分野は過去5年間で驚異的な成長を遂げましたが、今後2026年に向けては成長率が大幅に減速することが予想されます。2D NANDから3D NANDへの移行が完了した現在、真空/プラズマプロセスの成長スピードは他の機器市場と足並みを揃えると考えられるからです。また、EUVの導入により、真空装置の需要は緩和するでしょう。
しかし、長期的には、デバイスの密度や性能を向上させるためには、EUVと多重露光の併用が依然として必要となるでしょう。電源・ガスサブシステムの今後の成長傾向は、クリティカルサブシステムの業界平均（3.9%）をわずかに上回り、2026年までのCAGRは約6.3%と予測しています。
本稿のデータは、VLSI ResearchのCritical Subsystemsレポート（2021年6月）に基づいています。詳細については、VLSI Researchのウェブサイトをご覧ください。
John WestはVLSI Research Europeのマネージングディレクターです。